2018年，全球高k和ALD CVD金属前体市场规模占4.565亿。从2019年到2025年，预计CAGR将超过8.3%。金属有机复合材料具有较低的热稳定性，是推动市场增长的关键因素。公司投资于研发活动，以加强铜的金属化过程，这预计将增加对介质前体和金属公司沉积的需求。
对大数据和访问的需求日益增长，推动了对具有更大介电价值材料的需求。研究部门的需求日益增长原子层沉积(ALD)生产铑、铂、钯、钌和铱的工艺预计将促进市场增长。此外，薄膜金属需求的增加，特别是在工业部门，预计也将积极影响市场增长。
在CVD工艺中，设计和选择合适的金属前驱体对高效开发金属具有重要意义。在半导体行业，买家更喜欢介电值高的绝缘体。因此，钴、钽、钛、锆、钨和铝等具有较高介电值的金属前体的需求正在增长。
在非半导体领域，ALD领域的发展预计将增加对金属前体的需求，特别是在薄膜制造方面。ALD工艺有助于设计一些纳米级的超薄膜。此外，ALD为高尺度结构的沉积提供了高厚度控制。
一个合适的金属前驱体对于mosfet和其他微尺度半导体器件是必要的。这些设备需要较低的沉积温度和薄膜。高温沉积技术可能会导致层间不均匀，附着力降低，结晶度和形态的变化。
基于该技术，高k和ALD/bob官方网址CVD金属前体市场被划分为电容器、栅和互连。高介电值前驱体用于电容器和栅极制造。金属前驱体是创建互连和电极所必需的。预计在预测期间，盖茨类型的细分市场将以最快的CAGR增长，约为13.1%。通过使用HfO2、ZrO2、Ta205和AI203等元素进行DRAM场设计和其他互连来制作薄膜，开展了多项研究活动。
互连涉及到使用铝(AI)和铜(Cu)的制造过程。它也被用于制造金属层的屏障，以保护集成电路中的硅(Si)。高介电层普遍存在于dram、金属绝缘体-金属电容器、oled和薄膜晶体管器件中。
在晶体管器件中，可以通过使用金属栅极和高k介电技术将晶体管尺寸缩小到1 nm以下来减少栅极泄漏。半导体公司使用CMOS技术设计高k值的金属门堆栈，将其缩小到45.0 nm。bob官方网址英特尔采用的技术为栅极bob官方网址和改进的通道应变提供高k。
2018年，亚太地区以2.936亿美元的营收引领市场。微电子器件需求的增长和电子产品的大量外包(尤其是来自中国)是市场增长的主要原因。另外，随着印度、俄罗斯、中国、巴西等国家对半导体的需求增加，低成本产品的需求也在增加。
在美国，纳米技术的研究活动不断增加，对半导体器件的需求激增。bob官方网址此外，由于ALD的应用，对具有高成本效益的3D堆叠芯片结构的需求不断增长，促进了市场的增长。
2019冠状病毒病危机对全球高钾和ALD/CVD金属前体市场产生了重大影响。在封锁期间，多家金属制造商面临着劳动力短缺、铜、铝、钛等金属采购供应链中断等挑战。
此外，电子产品的放缓，预计汽车行业也将阻碍市场的增长。在2020年第一季度，由于采购订单和生产需求的延迟，中国金属前体的价格出现了下降。因此，制造商正专注于从当地企业收集原材料和资源。
该市场的主要参与者包括Praxair、AFC Hitech、Air Products and Chemicals、Air Liquide和Merck Kbob是黑台子吗GaAS。市场的主要参与者通过战略伙伴关系和收购来增加他们在全球的销售。例如，默克公司(Merck KGaA)收购了Sigma-Aldrich公司以扩大其产品组合。
ALD服务提供商Beneq与工艺创新中心合作开发ALD技术。
属性 |
细节 |
估计的基准年 |
2018 |
实际的估计/历史数据 |
2015 - 2017 |
预测期 |
2019 - 2025 |
市场代表 |
2019 - 2025年营收百万美元，复合年增长率 |
区域范围 |
北美、欧洲、亚太、拉丁美洲、中东和非洲 |
国家范围 |
美国、加拿大、德国、英国、中国、日本、印度、巴西和墨西哥。 |
报告覆盖 |
收入预测，公司份额，竞争格局，增长因素和趋势 |
15%免费定制范围(相当于5个分析师工作日) |
如果您需要具体的信息，而这些信息目前不在报告的范围内，我们将作为定制的一部分提供给您 |
本报告预测了2014 - 2025年全球、地区和国家的收入增长，并提供了最新的行业趋势和每个子细分市场的机遇分析。为了本次研究的目的，Million Insights基于技术和区域对全球高k和ALD CVD金属前体市场报告进行了细分:bob官方网址
•技bob官方网址术展望(收入，百万美元，2015 - 2025)
•互连
•电容
•盖茨
•区域展望(收入，百万美元，2015 - 2025)
•北美
•美国
•加拿大
•欧洲
•英国
•德国
•亚太地区
•中国
•日本
•印度
•拉丁美洲
•巴西
•墨西哥
•中东和非洲(MEA)
